NVMFD5C462NLWFT1G,Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 84 A, 84 A, 0.0039 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000401590
- Артикул
- NVMFD5C462NLWFT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- Yes
- SVHC
- Yes
- Brand:
- onsemi
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 513 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| PPAP | Yes |
| SVHC | Yes |
| Brand: | onsemi |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Yes |
| Fall Time: | 6 ns, 6 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 16 ns, 16 ns |
| Вес, г | 0.012 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual Quad Drain |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package Width | 5.9 mm |
| Package/Case: | SO-8FL-Dual-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Package Length | 4.9 mm |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DFN EP |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | DFN |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 6 |
| Typical Rise Time (ns) | 16 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 50 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns, 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns, 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 84 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 23 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11@4.5V|23@10V |
| Forward Transconductance - Min: | 70 S, 70 S |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 18 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 4.7@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.9 mOhms, 3.9 mOhms |