Моя заявка (0)

NVMFD5C446NT1G, 40V 127A 2.4mOhm@10V,30A 89W 2 N-Channel DFN-8 MOSFETs

NVMFD5C446NT1G, 40V 127A 2.4mOhm@10V,30A 89W 2 N-Channel DFN-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062307771
Артикул
NVMFD5C446NT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
17 ns
Rise Time:
39 ns
Вес, г
0.17
Цена по запросу
(от 599,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:17 ns
Rise Time:39 ns
Вес, г0.17
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SO-8FL-Dual-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:38 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Power Dissipation (Pd)89W
Pd - Power Dissipation:89 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)38nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:18 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.45nF@25V
Typical Turn-Off Delay Time:47 ns
Continuous Drain Current (Id)127A
Id - Continuous Drain Current:127 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)44pF@25V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация