NVMFD5C446NT1G,Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000446470
- Артикул
- NVMFD5C446NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 17 ns
- Rise Time:
- 39 ns
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 708 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 17 ns |
| Rise Time: | 39 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SO-8FL-Dual-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Power Dissipation (Pd) | 89W |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 89 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 38nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.45nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 127A |
| Id - Continuous Drain Current: | 127 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 44pF@25V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 127 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 89 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.4mΩ@10V, 30A |