NVMFD5C446NLWFT1G,Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000247147
- Артикул
- NVMFD5C446NLWFT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 15.2 ns, 15.2 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 16.8 ns, 16.8 ns
Цена по запросу
(от 830 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 15.2 ns, 15.2 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 16.8 ns, 16.8 ns |
| Вес, г | 0.012 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SO-8FL-Dual-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14.8 ns, 14.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34.9 ns, 34.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 145 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 138 S, 138 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.2 mOhms, 2.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 145 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0022 Ом |