Моя заявка (0)
NVJS4151PT1G, MOSFETs 20V 4.2A 60MOHM PFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006241312
Артикул
NVJS4151PT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.01
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
1.2Вт
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 68,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 20V 4.2A 60MOHM PFET

Технические параметры

Вес, г0.01
Channel TypeP Channel
Power Dissipation1.2Вт
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада4.2 us
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-363-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора10 nC
Время нарастания1.7 us
Drain Source On State Resistance0.055Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока3.2А
Рассеиваемая Мощность1.2Вт
Полярность транзистораP-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1.2В
Pd - рассеивание мощности1.2 W
Id - непрерывный ток утечки3.2 A
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-363
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе-8 V, +22.6 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения2.7 us
Типичное время задержки при включении850 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.055Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.2
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.12 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)60мОм

Техническая документация