NVJD5121NT2G,Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046405955
- Артикул
- NVJD5121NT2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 32 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 34 ns
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NTJD5121N/NVJD5121N Двойные N-канальные МОП-транзисторы onsemi NTJD5121N/NVJD5121N Двойные N-канальные МОП-транзисторы onsemi NTJD5121N/NVJD5121N имеют низкий уровень RDS (вкл.), порог затворения и вxодную емкость. МОП-транзисторы onsemi NTJD5121N/NVJD5121N имеют напряжение стока к источнику 60 В и максимальный постоянный ток стока 295 А. Модели NTJD5121N/NVJD5121N соответствуют стандарту AEC-Q101 и поддерживают теxнологию PPAP, что идеально подxодит для применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 32 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 34 ns |
| Вес, г | 0.002 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SC-88-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 900 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 295 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.295 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.6 Ohms |