NVJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET; 60В; 212мА; 250мВт; SC88,SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014851170
- Артикул
- NVJD5121NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SC70-6, SC88, SOT363
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.02
- Manufacturer
- ONSEMI
Цена по запросу
(от 37,48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SC70-6, SC88, SOT363 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.02 |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 0.212A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 0.25W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1.6Ω |
| Drain-source voltage | 60V |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 0.9nC |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 26pF |
| Continuous Drain Current (Id) | 295mA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.5pF |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.212 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.6Ω@10V |