Моя заявка (0)

NVJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,46А; 0,14Вт; SC88,SOT363

NVJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,46А; 0,14Вт; SC88,SOT363

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017565993
Артикул
NVJD4401NT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.1
Channel Type
N Channel
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 100 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.1
Channel TypeN Channel
СтруктураMOSFET
Особенности-
Power Dissipation N Channel550мВт
Power Dissipation P Channel550мВт
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока630мА
Рассеиваемая Мощность550мВт
Drain Source On State Resistance N Channel0.29Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.29Ом
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs920мВ
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-363
Непрерывный Ток Стока, N Канал630мА
Непрерывный Ток Стока, P Канал630мА
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал20В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал20В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.29Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.46
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.14
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.6Ω@10V

Техническая документация