NVJD4401NT1G, Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000897586
- Артикул
- NVJD4401NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.3
- Channel Type
- N Channel
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- полевая сборка
Цена по запросу
(от 101 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.3 |
| Channel Type | N Channel |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Power Dissipation N Channel | 550мВт |
| Power Dissipation P Channel | 550мВт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 630мА |
| Рассеиваемая Мощность | 550мВт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.29Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.29Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 920мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 630мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 630мА |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.29Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.29 Ом |