NVJD4158CT1G, MOSFETs PFET SC88 20V .88A 1OHM
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031829158
- Артикул
- NVJD4158CT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 3.5 ns, 78 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 6.5 ns, 66 ns
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 3.5 ns, 78 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 6.5 ns, 66 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SC-88-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 900 pC, 2.2 nC |
| Структура | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 270 mW |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.8 ns, 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.5 ns, 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 250 mA, 880 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.08 S, 3 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 610 mV, 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 V, 30 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 88 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 215 mOhms, 1 Ohms |