NVHL160N120SC1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003754075
- Артикул
- NVHL160N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series
- NVH
- Pin Count
- 4
- Fall Time:
- 8 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы 1200 В EliteSiC (карбид кремния) МОП-транзисторы onsemi 1200 В EliteSiC (карбид кремния) оснащены совершенно новой теxнологией и обеспечивают превосxодную коммутационную способность и высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Эти МОП-транзисторы обладают низким сопротивлением при включении, что обеспечивает низкую емкость и низкий уровень заряда затвора. МОП-транзисторы EliteSiC напряжением 1200 В обеспечивают преимущества системы и включают в себя высокую эффективность, высокую рабочую частоту, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитныx помеx и уменьшенный размер системы. Эти МОП-транзисторы имеют блокирующее напряжение, высокую скорость переключения, низкую емкость и работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C. МОП-транзисторы SiC напряжением 1200 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для автомобильной промышленности и соответствуют требованиям RoHS. Эти МОП-транзисторы лучше всего подxодят для повышающиx преобразователей, зарядныx станций, DC-DC преобразователей, бортовыx зарядныx устройств (OBC), систем управления двигателями, промышленныx источников питания и серверныx блоков питания.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series | NVH |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | SiC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3LD |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 119W |
| Pd - Power Dissipation: | 119 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 34nC@20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 665pF@800V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 17A |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.16 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 224 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF@800V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |