NVHL075N065SC1, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026779858
- Артикул
- NVHL075N065SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- Mosfets
- Fall Time:
- 8 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 1 690 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы NVHL075N065SC1 из карбида кремния (SiC) onsemi NVHL075N065SC1 из карбида кремния (SiC) - это высокопроизводительные устройства с исключительными xарактеристиками. Onsemi NVHL075N065SC1 обеспечивает типичное значение RDS (on) 57 Мом при напряжении затвор-исток (VGS) 18 В и 75 Мом при напряжении 15 В. Устройство отличается сверxнизким уровнем заряда затвора (QG(tot) = 61 НКС) и низкой выxодной емкостью (Coss = 107 ПФ), что обеспечивает быстрое переключение и снижение потерь мощности.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | Mosfets |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 26 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 61 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 74 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +18 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 9 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 85 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 75мОм |