Моя заявка (0)

NVHL SiC N-Channel MOSFET, 34 A, 1200 V, 3-Pin TO-247-3L NVHL070N120M3S

NVHL SiC N-Channel MOSFET, 34 A, 1200 V, 3-Pin TO-247-3L NVHL070N120M3S

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050035464
Артикул
NVHL070N120M3S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
onsemi
Brand:
onsemi
Series
NVHL
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 3 750 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы ON Semiconductor оптимизированы для быстрой коммутации. Теxнология Planar надежно работает с приводом с отрицательным напряжением на затворе и отключает всплески напряжения на затворе. Это семейство обладает оптимальной производительностью при использовании привода с напряжением 18 В, но также xорошо работает с приводом с напряжением 15 В.

Технические параметры

Brandonsemi
Brand:onsemi
SeriesNVHL
Pin Count3
Fall Time:9.6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:24 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Package TypeTO-247-3L
Subcategory:Transistors
КорпусTO-247-3
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-247-3
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:57 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSiC
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:160 W
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Typical Turn-Off Delay Time:29 ns
Id - Continuous Drain Current:34 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:12 S
Maximum Continuous Drain Current34 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А34
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация