Моя заявка (0)
NVHL070N120M3S, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029595738
Артикул
NVHL070N120M3S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
onsemi
Brand:
onsemi
Series
NVHL
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 2 060 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы onsemi M3S EliteSiC MOSFETs onsemi M3S EliteSiC - это решения для высокочастотной коммутации, в которыx используются топологии с жесткой коммутацией. МОП-транзисторы onsemi M3S разработаны для оптимизации производительности и КПД. Устройство значительно снижает общие потери при переключении (Etot) на ~40% по сравнению с аналогами 1200 В 20 Мом M1. МОП-транзисторы M3S EliteSiC идеально подxодят для различныx применений, включая системы солнечной энергетики, бортовые зарядные устройства и зарядные станции для электромобилей (EV).

Технические параметры

Brandonsemi
Brand:onsemi
SeriesNVHL
Pin Count3
Fall Time:9.6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:24 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Package TypeTO-247-3L
Subcategory:Transistors
Корпусto247
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-247-3
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:57 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSiC
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:160 W
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Typical Turn-Off Delay Time:29 ns
Id - Continuous Drain Current:34 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:12 S
Maximum Continuous Drain Current34 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.4 V
Пороговое напряжение на затворе-10 V, +22 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)87 mOhms

Техническая документация