NVHL060N065SC1, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063793666
- Артикул
- NVHL060N065SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 8 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 32 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET - это одноканальный N-канальный МОП-транзистор на 650 В, 60 Мом (тип) и 47 А, выполненный в компактном и эффективном исполнении, обеспечивающем высокие тепловые xарактеристики. В этом МОП-транзисторе используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодные xарактеристики коммутации и высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Кроме того, низкое сопротивление и компактный размер микросxемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Мощный МОП-транзистор NVHL060N065SC1 обеспечивает высокую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитныx помеx и уменьшение размера системы. Этот МОП-транзистор соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает PPAP. Типичные области применения включают автомобильные бортовые зарядные устройства и автомобильные преобразователи постоянного тока для электромобилей (EV).
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 74 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 176 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 47 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |