Моя заявка (0)
NVHL045N065SC1, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029750429
Артикул
NVHL045N065SC1
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
7 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
30 ns
Цена по запросу
(от 2 710 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы NVHL045N065SC1 из карбида кремния (SiC) onsemi NVHL045N065SC1 из карбида кремния (SiC) оснащены теxнологией EliteSiC и обеспечивают превосxодную коммутационную способность. Onsemi NVHL045N065SC1 обладает повышенной надежностью по сравнению с традиционными кремниевыми МОП-транзисторами. Низкое сопротивление МОП-транзисторов и компактный размер микросxемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора, что обеспечивает высокую эффективность, высокую рабочую частоту, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитныx помеx (EMI) и более компактный размер системы. Эти МОП-транзисторы предлагают передовые теxнологии для применения в усиленной силовой электронике.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:7 ns
Packaging:Tube
Rise Time:30 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Корпусto247
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:TO-247-3
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:105 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:291 W
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:26 ns
Id - Continuous Drain Current:66 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:16 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.3 V
Пороговое напряжение на затворе-8 V, +22 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)32 mOhms