NVHL040N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004120072
- Артикул
- NVHL040N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NVH
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) • Протестирован на 100% по стандарту UIL, соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает PPAP • Сопротивление при подключении к источнику составляет 39 Мом (тип, VGS = 20 В, ID = 35 А, TJ = 25°C • Емкость обратной передачи составляет 12 ПФ (тип, VGS = 0 В, f = 1 МГц, VDS = 800 В) • Постоянный ток стока RJC составляет 60 А (максимальный, TC = 25°C, в установившемся режиме) • Ток утечки между затвором и источником составляет ±1 мкА (макс., VGS = +25/-15 В, VDS =0 В) • Рассеиваемая мощность составляет 348 Вт (VGS = +25/-15 В, VDS =0 В) • Время нарастания составляет 41 нс (тип, VGS = -5/20 В, VDS = 800 В, ID = 47 А, RG = 4,7 Ом, индуктивная нагрузка) • Время обратного восстановления составляет 24 секунды (тип, VGS = -5/20 В, ISD = 47 А, dIS/dt = 1000 А/с) • Диапазон рабочиx температур соединения и xранения от -55 до +175°C, упаковка TO247-3л
Технические параметры
| Series | NVH |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 348Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.04 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.056Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Рассеиваемая Мощность | 348Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.039Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.056 Ом |