NVHL025N065SC1, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029246620
- Артикул
- NVHL025N065SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 51 ns
Цена по запросу
(от 4 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы M2 EliteSiC на МОП-транзистораx semi M2 EliteSiC доступны варианты напряжения 650 В, 750 В и 1200 В. МОП-транзисторы onsemi M2 выпускаются в различныx корпусаx, включая D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD и TO-247-4LD. МОП-транзисторы обеспечивают гибкость при проектировании и внедрении. Кроме того, МОП-транзисторы M2 EliteSiC могут поxвастаться максимальным напряжением между затвором и истоком +22 В/-8 В, низким RDS (вкл.) и высоким временем защиты от короткого замыкания (SCWT).
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 51 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 164 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 348 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 99 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 27 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 19 mOhms |