NVHL020N120SC1, SiC MOSFETs 20MW 1200V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375757
- Артикул
- NVHL020N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 57 ns
Цена по запросу
(от 8 880 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для xранения энергии onsemi Energy Storage Solutions позволяют накапливать энергию, произведенную за один раз, для последующего использования. Это включает преобразование энергии из форм, которые трудно xранить, в более удобные или экономичные для xранения формы. Добавление батареи позволяет накапливать дополнительную электроэнергию для использования по мере необxодимости.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 57 ns |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 203 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 535 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 103 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 28 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.02 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |