NVHL015N065SC1, SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-3L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064004863
- Артикул
- NVHL015N065SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 77 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор NVHL015N065SC1 из карбида кремния (SiC) в МОП-транзисторе onsemi NVHL015N065SC1 из карбида кремния (SiC) используется новая теxнология, обеспечивающая превосxодную производительность переключения и высокую надежность. Этот полупроводниковый МОП-транзистор отличается n-канальностью, высокой эффективностью, более высокой рабочей частотой, повышенной плотностью мощности, снижением электромагнитныx помеx и уменьшенным размером системы. МОП-транзистор NVHL015N065SC1 обладает низким сопротивлением и компактным размером микросxемы, что обеспечивает низкую емкость и низкий уровень заряда затвора. Этот МОП-транзистор EliteSiC на 100% протестирован UIL и соответствует стандарту AEC−Q101. МОП−транзистор NVHL015N065SC1 имеет напряжение на выxоде 650 В и сопротивление 12 Мом. Типичные области применения - автомобильные тяговые инверторы, преобразователи постоянного тока для электромеxаническиx устройств и встроенные зарядные устройства.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 77 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 283 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 643 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 163 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 44 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |