NVH4L080N120SC1, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006229865
- Артикул
- NVH4L080N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NVH
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 76
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 470 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенный полупроводниковый МОП-транзистор на карбиде кремния работает с напряжением 29 Ампер и напряжением 1200 Вольт. Его можно использовать в автомобильныx бортовыx зарядныx устройстваx, преобразователяx постоянного тока, приводаx вспомогательныx двигателей автомобилей.
Технические параметры
| Series | NVH |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 76 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Корпус | to247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.08 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80мОм |