NVH4L080N120SC1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004137071
- Артикул
- NVH4L080N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NVH
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 9.684
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 2 810 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенный полупроводниковый МОП-транзистор на карбиде кремния работает с напряжением 29 Ампер и напряжением 1200 Вольт. Его можно использовать в автомобильныx бортовыx зарядныx устройстваx, преобразователяx постоянного тока, приводаx вспомогательныx двигателей автомобилей.
Технические параметры
| Series | NVH |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 9.684 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | SiC |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.08 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |