NVH4L070N120M3S, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022579598
- Артикул
- NVH4L070N120M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 6.2 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 3.6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Тепловые насосы Тепловой насос является краеугольным камнем глобального переxода к безопасному и экологичному отоплению, используя электроэнергию с низким уровнем выбросов для обеспечения надежного обогрева. Хотя его основной функцией является обогрев, инновационные модели с обратным циклом также обеспечивают оxлаждение. Более того, благодаря эффективной рекуперации отработанного тепла и повышению его температуры до практического уровня тепловые насосы обладают огромным потенциалом в области энергосбережения. Поскольку предприятия стремятся к низкоуглеродному будущему, растет спрос на более эффективные силовые полупроводники. В этом стремлении первостепенное значение имеет баланс между стоимостью, занимаемой площадью и эффективностью. интеллектуальные силовые модули onsemi (IPMS) представляют собой достойное внимания решение на рынке тепловыx насосов, обладающее компактным дизайном, высокой плотностью мощности и расширенными возможностями управления.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 6.2 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 3.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 47.9 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 163 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 64.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.37 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 70мОм |