Моя заявка (0)

NVH4L060N065SC1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, N Channel, 47 A, 650 V, 0.07 ohm, TO-247

NVH4L060N065SC1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, N Channel, 47 A, 650 V, 0.07 ohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066913551
Артикул
NVH4L060N065SC1
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
9.07
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
176Вт
Drain Source On State Resistance
0.07Ом
Цена по запросу
(от 2 710 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г9.07
Channel TypeN Channel
Power Dissipation176Вт
Drain Source On State Resistance0.07Ом
Линейка ПродукцииPW Series
Количество Выводов4вывод(-ов)
Непрерывный Ток Стока47А
Пороговое Напряжение Vgs4.3В
Напряжение Измерения Rds(on)18В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Конфигурация МОП-транзистораSingle
Максимальная Рабочая Температура175°C