Моя заявка (0)

NVH4L040N120SC1, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART

NVH4L040N120SC1, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005375752
Артикул
NVH4L040N120SC1
Бренд
ON Semiconductor***
Series
NVH
Pin Count
4
Вес, г
2
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 4 230 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Silicon Carbide МОП-транзистор, N-Channel, 1200 V, 40 mO, TO247-4L Silicon Carbide МОП-транзистор, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?4L

Технические параметры

SeriesNVH
Pin Count4
Вес, г2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-247-4
Корпусto247
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation319Вт
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSiC
ТехнологияSiC
Вид монтажаThrough Hole
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-247-4L
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.3V
Maximum Drain Source Resistance0.056 Ω
Drain Source On State Resistance0.04Ом
Maximum Continuous Drain Current58 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов4вывод(-ов)
Непрерывный Ток Стока58А
Рассеиваемая Мощность319Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)20В
Напряжение Истока-стока Vds1.2кВ
Размер фабричной упаковки450
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247
Конфигурация МОП-транзистораSingle
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.04Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)40мом

Техническая документация