NVH4L040N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003713974
- Артикул
- NVH4L040N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NVH
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 2
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 4 320 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Silicon Carbide МОП-транзистор, N-Channel, 1200 V, 40 mO, TO247-4L Silicon Carbide МОП-транзистор, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?4L
Технические параметры
| Series | NVH |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 319Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-247-4L |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.056 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 58 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 58А |
| Рассеиваемая Мощность | 319Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 58 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом |