NVH4L025N065SC1, SiC MOSFETs Silicon Carbide MOSFET, N-Channel - EliteSiC ,21mohm, 650V, M2, TO247-4L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064004862
- Артикул
- NVH4L025N065SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- No. of Pins
- 4Pins
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 348Вт
Цена по запросу
(от 3 854,17 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 348Вт |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 99A |
| Drain Source On State Resistance | 0.0285Ом |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4.3V |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 99А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |