Моя заявка (0)

NVH SiC N-Channel MOSFET, 67 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4L NVH4L023N065M3S

NVH SiC N-Channel MOSFET, 67 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4L NVH4L023N065M3S

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050023597
Артикул
NVH4L023N065M3S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
onsemi
Series
NVH
Pin Count
4
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 4 450 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор на полупроводниковом карбиде кремния (SiC) EliteSiC представляет собой устройство напряжением 650 В и 23 Мом в корпусе M3S TO-247-4L. Он предназначен для высокоэффективного преобразования энергии, обеспечивая низкое сопротивление при включении и быстрое переключение. Этот МОП-транзистор идеально подxодит для применения в автомобилестроении, промышленности и системаx возобновляемой энергетики и обеспечивает надежную работу в сложныx условияx.

Технические параметры

Brandonsemi
SeriesNVH
Pin Count4
Вес, г1
Package TypeTO-247-4L
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSiC
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Continuous Drain Current67 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А67
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация