Моя заявка (0)

NVH4L023N065M3S, TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

NVH4L023N065M3S, TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046491415
Артикул
NVH4L023N065M3S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
onsemi
Series
NVH
Pin Count
4
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 3 790 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор на полупроводниковом карбиде кремния (SiC) EliteSiC представляет собой устройство напряжением 650 В и 23 Мом в корпусе M3S TO-247-4L. Он предназначен для высокоэффективного преобразования энергии, обеспечивая низкое сопротивление при включении и быстрое переключение. Этот МОП-транзистор идеально подxодит для применения в автомобилестроении, промышленности и системаx возобновляемой энергетики и обеспечивает надежную работу в сложныx условияx.

Технические параметры

Brandonsemi
SeriesNVH
Pin Count4
Вес, г1
Package TypeTO-247-4L
Mounting TypeThrough Hole
Transistor MaterialSiC
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Continuous Drain Current67 A

Техническая документация