NVH4L022N120M3S, 1200V 68A 30mOhm@40A,18V 352W 4.4V@20mA N Channel TO-247-4L MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044731407
- Артикул
- NVH4L022N120M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 13 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 24 ns
Цена по запросу
(от 13 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы M3S 1200V из карбида кремния (SiC) onsemi МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) onsemi M3S 1200V оптимизированы для быстрого переключения. Теxнология planar надежно работает с приводом с отрицательным напряжением на затворе и отключающими шипами на затворе. МОП-транзисторы onsemi M3S 1200 В обеспечивают оптимальную производительность при работе от 18-вольтового затвора, но также xорошо работают и от 15-вольтового затвора. M3S обеспечивает низкие потери при переключении и выполнен в корпусе TO247-4LD, что обеспечивает низкую индуктивность общего источника.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 13 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 24 ns |
| Вес, г | 10 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 151 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 352 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 48 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 68 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 34 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.4 V |