Моя заявка (0)
NVH4L020N090SC1, SiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063803893
Артикул
NVH4L020N090SC1
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
+22V, -8V
Technology
SiCFET(Silicon Carbide)
Цена по запросу
(от 5 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 900 В 116 А (Tc) 484 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-247-4L

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)+22V, -8V
TechnologySiCFET(Silicon Carbide)
Вес, г1
Mounting TypeThrough Hole
QualificationAEC-Q101
Package / CaseTO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 20mA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max)484W(Tc)
Supplier Device PackageTO-247-4L
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs196 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4415 pF @ 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C116A(Tc)

Техническая документация