Моя заявка (0)

NVGS5120PT1G, 60V 2.1A 72mOhm@10V,2.9A 1.1W 3V@250uA 48pF@30V P Channel 942pF@30V 18.1nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TSOP-6-1.5mm MOSFETs

NVGS5120PT1G, 60V 2.1A 72mOhm@10V,2.9A 1.1W 3V@250uA 48pF@30V P Channel 942pF@30V 18.1nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TSOP-6-1.5mm MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017637438
Артикул
NVGS5120PT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.04
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
1.1Вт
Структура
P-Channel
Цена по запросу
(от 155,33 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.04
Channel TypeP Channel
Power Dissipation1.1Вт
СтруктураP-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Drain Source On State Resistance0.072Ом
Линейка Продукции-
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.5А
Рассеиваемая Мощность1.1Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTSOP
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.072Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)72мОм