NVGS5120PT1G, MOSFETs PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375750
- Артикул
- NVGS5120PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- P Channel
- Корпус
- TSOP6
- Power Dissipation
- 1.1Вт
Цена по запросу
(от 110,88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | P Channel |
| Корпус | TSOP6 |
| Power Dissipation | 1.1Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Drain Source On State Resistance | 0.072Ом |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.1Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOP |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.072Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |