NVF3055L108T3G, Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001346380
- Артикул
- NVF3055L108T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- Yes
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 711 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 3A Автомобильный AEC-Q101 4-контактный (3+ вкладки) SOT-223 T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Yes |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Package Width | 3.5 |
| Package Length | 6.5 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 27 |
| Typical Rise Time (ns) | 35 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2100 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7.6@5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±15 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 22 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 313@25V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 120@5V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |