NVE4153NT1G,Power MOSFET, N Channel, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8933534879
- Артикул
- NVE4153NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 7.6 ns
- Rise Time:
- 4.4 ns
- Вес, г
- 0.7
Цена по запросу
(от 81 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 7.6 ns |
| Rise Time: | 4.4 ns |
| Вес, г | 0.7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SC-89 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-89-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.82 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 915 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.4 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 127 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 450 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | -6 V, +6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.915 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 127 mOhms |