NVD5C684NLT4G, Trans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002288339
- Артикул
- NVD5C684NLT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Series
- NVD5C684NL
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 242 ₽)
Минимальный заказ: 74 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | NVD5C684NL |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Power Dissipation (Pd) | 27W |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 27 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.6 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.6nC@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 700pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 38A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 24.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |