NVD5C446NT4G, MOSFETs T6 40V SL DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017148847
- Артикул
- NVD5C446NT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- NVD5C446N
- Fall Time:
- 17 ns
- Rise Time:
- 62 ns
Цена по запросу
(от 257,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы NVD5C Силовые МОП-транзисторы onsemi NVD5C соответствуют стандарту AEC-Q101 и предлагают надежные решения для применения в автомобилестроении. Силовые МОП-транзисторы NVD5C обеспечивают низкое значение RD (on) для минимизации потерь проводимости и низкую добротность и емкость для минимизации потерь в драйвере. Эти одноканальные МОП-транзисторы onsemi, выполненные в компактном корпусе DPAK для поверxностного монтажа, не содержат свинца, галогенов/BFR и соответствуют требованиям RoHS.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | NVD5C446N |
| Fall Time: | 17 ns |
| Rise Time: | 62 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 101 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 101 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |