Моя заявка (0)

NVD5117PLT4G-VF01, Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

NVD5117PLT4G-VF01, Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002161261
Артикул
NVD5117PLT4G-VF01
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Структура
MOSFET
Особенности
автомобильные приложения
Пороговое напряжение на затворе
-20 V, +20 V
Цена по запросу
(от 810 ₽)
Минимальный заказ: 38 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
СтруктураMOSFET
Особенностиавтомобильные приложения
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт118
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация