NVD3055-094T4G-VF01, MOSFETs NFET DPAK 60V 12A 94MOHM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018652500
- Артикул
- NVD3055-094T4G-VF01
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 23.9 ns
- Rise Time:
- 32.3 ns
- Вес, г
- 0.36
Цена по запросу
(от 114,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 23.9 ns |
| Rise Time: | 32.3 ns |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 48 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 94 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 94мОм |