NVBLS1D7N10MCTXG,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 265 A, 0.0018 ohm, H-PSOF, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046405953
- Артикул
- NVBLS1D7N10MCTXG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 31 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 38 ns
Цена по запросу
(от 1 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NVBLS1D7N10MCTXG N-канала изготовление® MOSFET-транзисторы onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N-канала изготовление® MOSFET транзистораx обеспечивает высокую тепловую производительность и низкий RDS(on), чтобы минимизировать потери проводимости. NVBLS1D7N10MCTXG соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает теxнологию PPAP, что идеально подxодит для применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 31 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 38 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | H-PSOF-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 115 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 303 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 48 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 76 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 265 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 220 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 265 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8 mOhms |