NVBLS1D7N08H, 80V 241.3A 237.5W 1.29mOhm@10V,80A 2.9V@479uA 41pF@40V N Channel 7.675nF@40V 121nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) H-PSOF-8L MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017661270
- Артикул
- NVBLS1D7N08H
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.04
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 237.5Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 813 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1.04 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 237.5Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Drain Source On State Resistance | 0.00129Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 241.3А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.9В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-LL |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 241.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 237.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.29мОм |