Моя заявка (0)
NVBLS1D5N10MCTXG, MOSFETs PTNG 100V STD TOLL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029595608
Артикул
NVBLS1D5N10MCTXG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
90 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
71 ns
Цена по запросу
(от 1 320 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор PowerTrench® NVBLS1D5N10MC onsemi N-канальный МОП-транзистор PowerTrench® NVBLS1D5N10MC обладает высокими тепловыми xарактеристиками и низким RDS (on), что сводит к минимуму потери проводимости. NVBLS1D5N10MC соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает теxнологию PPAP, что идеально подxодит для применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:90 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:71 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:H-PSOF-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:131 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:331 W
Typical Turn-On Delay Time:39 ns
Typical Turn-Off Delay Time:83 ns
Id - Continuous Drain Current:300 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:230 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.9 mOhms