NVBG160N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005535255
- Артикул
- NVBG160N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 3.4
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-263
- Power Dissipation
- 136Вт
Цена по запросу
(от 2 020 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 3.4 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-263 |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.16Ом |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 19.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263HV(D2PAK) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.16Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.16 Ом |