NVBG095N65S3F,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 36 A, 0.095 ohm, TO-263HV (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046405951
- Артикул
- NVBG095N65S3F
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Grade
- Automotive
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 1 570 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 650 В 36 А (Tc) 272 Вт (Tc) для поверxностного монтажа D2PAK-7
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 860µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 18A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 272W(Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.095 Ом |