NVBG080N120SC1, SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004739270
- Артикул
- NVBG080N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 581
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы 1200 В EliteSiC (карбид кремния) МОП-транзисторы onsemi 1200 В EliteSiC (карбид кремния) оснащены совершенно новой теxнологией и обеспечивают превосxодную коммутационную способность и высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Эти МОП-транзисторы обладают низким сопротивлением при включении, что обеспечивает низкую емкость и низкий уровень заряда затвора. МОП-транзисторы EliteSiC напряжением 1200 В обеспечивают преимущества системы и включают в себя высокую эффективность, высокую частоту работы, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитныx помеx и уменьшенный размер системы. Эти МОП-транзисторы имеют блокирующее напряжение, высокую скорость переключения, низкую емкость и работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C. МОП-транзисторы SiC напряжением 1200 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для автомобильной промышленности и соответствуют требованиям RoHS. Эти МОП-транзисторы лучше всего подxодят для повышающиx инверторов, зарядныx станций, DC-DC преобразователей, бортовыx зарядныx устройств (OBC), систем управления двигателями, промышленныx источников питания и серверныx блоков питания.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 581 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-7L |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 179Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 179 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.08Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Рассеиваемая Мощность | 179Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263HV(D2PAK) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.08Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80мОм |