NVBG070N120M3S,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046435695
- Артикул
- NVBG070N120M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 8.8 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 12 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор NVBG070N120M3S из карбида кремния (SiC) onsemi NVBG070N120M3S из карбида кремния (SiC) - это планарный МОП-транзистор M3S на 1200 В, предназначенный для быстрой коммутации. Этот МОП-транзистор обеспечивает оптимальную производительность при использовании привода затвора 18 В, но также xорошо работает и с приводом затвора 15 В. Полупроводниковый МОП-транзистор NVBG070N120M3S оснащен сверxнизким зарядом затвора 57 НКС, высокоскоростной коммутацией 57 ПФ с низкой емкостью и типичным сопротивлением стока к источнику 65 Мом при VGS=18 В. Этот МОП-транзистор прошел 100%-ное лавинное тестирование, соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает PPAP. SiC-МОП-транзистор NVBG070N120M3S выпускается в корпусе D2PAK-7L и не содержит свинца 2LI (для подключения второго уровня) и соответствует требованиям RoHS (с исключением 7a). Типичные области применения включают автомобильные бортовые зарядные устройства и преобразователи постоянного тока для EV/HEV.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 8.8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | D2PAK-7 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 172 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.4 V |