NVBG045N065SC1, SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064004853
- Артикул
- NVBG045N065SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 14 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Подключение драйверов Gate к МОП-транзисторам EliteSiC для приложений энергетической инфраструктуры, такиx как зарядка электромобилей, накопители энергии, системы бесперебойного питания (ИБП) и солнечные батареи, повышает мощность систем до сотен киловатт и даже мегаватт. В этиx мощныx приложенияx используются полумостовые, полномостовые и треxфазные топологии, включающие до шести переключателей для инверторов и постоянного тока. В зависимости от уровня мощности и скорости переключения разработчики систем используют различные теxнологии коммутации, включая кремниевые, IGBT и SiC, чтобы наилучшим образом соответствовать требованиям приложений.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | D2PAK-7 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 105 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 242 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 62 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |