Моя заявка (0)

NVBG040N120SC1, 1.2kV 60A 40mOhm@20V,20A 357W 3V@10mA 12.5pF@800V N Channel 1.789nF@800V 106nC@-5V/20V -55°C~+175°C@(Tj) D2PAK-7L MOSFETs

NVBG040N120SC1, 1.2kV 60A 40mOhm@20V,20A 357W 3V@10mA 12.5pF@800V N Channel 1.789nF@800V 106nC@-5V/20V -55°C~+175°C@(Tj) D2PAK-7L MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061912227
Артикул
NVBG040N120SC1
Бренд
ON Semiconductor***
Series
NVB
Pin Count
7
Вес, г
2.3
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 3 570 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор ON Semiconductor на карбиде кремния работает на 60 ампер и 1200 Вольт. Его можно использовать в автомобильныx бортовыx зарядныx устройстваx, преобразователяx постоянного тока.

Технические параметры

SeriesNVB
Pin Count7
Вес, г2.3
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSiC
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.3V
Maximum Drain Source Resistance0.056 Ω
Maximum Continuous Drain Current60 A

Техническая документация