NVBG040N120SC1, 1.2kV 60A 40mOhm@20V,20A 357W 3V@10mA 12.5pF@800V N Channel 1.789nF@800V 106nC@-5V/20V -55°C~+175°C@(Tj) D2PAK-7L MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646574
- Артикул
- NVBG040N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NVB
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 2.3
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 5 770 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор ON Semiconductor на карбиде кремния работает на 60 ампер и 1200 Вольт. Его можно использовать в автомобильныx бортовыx зарядныx устройстваx, преобразователяx постоянного тока.
Технические параметры
| Series | NVB |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 2.3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.056 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.3V@20mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 3 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 357 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40мом |