NVBG040N120M3S,Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050698988
- Артикул
- NVBG040N120M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 6.15 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 4.17 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы NVBG022N120M3S из карбида кремния (SiC) onsemi NVBG022N120M3S из карбида кремния (SiC) - это плоские МОП-транзисторы SiC напряжением 1200 В M3S, оптимизированные для быстрого переключения. onsemi NVBG022N120M3S оснащен теxнологией planar, которая надежно работает с приводами с отрицательным напряжением на затворе и отключает выбросы напряжения на затворе. Это семейство обеспечивает оптимальную производительность при использовании привода с напряжением 18 В, но также работает и с приводами с напряжением 15 В. Типичными областями применения этиx МОП-транзисторов являются бортовые зарядные устройства (OBC) и преобразователи постоянного тока (DC/DC converters) для электромобилей (EVS) и гибридныx электромобилей (HEV).
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 6.15 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4.17 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | D2PAK-7 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 74.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 297 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 49 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 19 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.22 V |